FQAF10N80
Número de Producto del Fabricante:

FQAF10N80

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FQAF10N80-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 6.7A TO3PF
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 6.7A (Tc) 113W (Tc) Through Hole TO-3PF

Inventario:

12838310
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FQAF10N80 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
QFET®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.05Ohm @ 3.35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2700 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
113W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PF
Paquete / Caja
TO-3P-3 Full Pack
Número de producto base
FQAF1

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
360

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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