Número de Producto del Fabricante:
FDT4N50NZU
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDT4N50NZU-DG
Descripción:
POWER MOSFET, N-CHANNEL, UNIFETI
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 2A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount SOT-223 (TO-261)
Inventario:
3899 Pcs Nuevos Originales En Stock
12964752
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ENVIAR
FDT4N50NZU Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
UltraFRFET™, Unifet™ II
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
476 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223 (TO-261)
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
488-FDT4N50NZUDKR
488-FDT4N50NZUTR
488-FDT4N50NZUCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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