FDS5670
Número de Producto del Fabricante:

FDS5670

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDS5670-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 10A 8SOIC
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

Inventario:

21413 Pcs Nuevos Originales En Stock
12846241
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FDS5670 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
14mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2900 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
FDS56

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
FDS5670TR
2156-FDS5670-OS
ONSFSCFDS5670
FDS5670DKR
FDS5670CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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