Número de Producto del Fabricante:
FDS3812
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDS3812-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC
Descripción Detallada:
Mosfet Array 80V 3.4A 900mW Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12930522
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ENVIAR
FDS3812 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual)
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.4A
rds activados (máx.) @ id, vgs
74mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
634pF @ 40V
Potencia - Máx.
900mW
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOIC
Número de producto base
FDS38
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRF7103TRPBF
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
9567
NÚMERO DE PIEZA
IRF7103TRPBF-DG
PRECIO UNITARIO
0.29
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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