Número de Producto del Fabricante:
FDP036N10A
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDP036N10A-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 333W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
379 Pcs Nuevos Originales En Stock
12847170
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDP036N10A Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.6mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
116 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7295 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
333W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
FDP036
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
2832-FDP036N10A
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
CPH6350-P-TL-E
MOSFET P-CH 30V 6A CPH6
NTD110N02R-001G
MOSFET N-CH 24V 12.5A/110A IPAK
FQD3N50CTM
MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
