FDN359AN
Número de Producto del Fabricante:

FDN359AN

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDN359AN-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 2.7A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Inventario:

34550 Pcs Nuevos Originales En Stock
12848120
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDN359AN Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
46mOhm @ 2.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
7 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
480 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
FDN359

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDN359ANDKR
ONSONSFDN359AN
FDN359AN_F095
FDN359ANCT
FDN359ANTR
2156-FDN359AN-OS

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FDMS8670S

MOSFET N-CH 30V 20A/42A 8PQFN

onsemi

FDD6630A

MOSFET N-CH 30V 21A TO252

onsemi

NTB45N06LT4

MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

onsemi

NTMFS5C682NLT1G

MOSFET N-CH 60V 25A 5DFN