Número de Producto del Fabricante:
FDMS3660S
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDMS3660S-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 30V 30A/60A POWER56
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 30A, 60A 1W Surface Mount Power56
Inventario:
5493 Pcs Nuevos Originales En Stock
12849701
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
FDMS3660S Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
30A, 60A
rds activados (máx.) @ id, vgs
8mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.7V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1765pF @ 15V
Potencia - Máx.
1W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
Power56
Número de producto base
FDMS3660
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
FDMS3660SFSTR
FDMS3660SFSCT
FDMS3660SFSDKR
2832-FDMS3660STR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
FDW2508P
MOSFET 2P-CH 12V 6A 8TSSOP
AO4822AL_102
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
FDS6890A
MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 8SOIC
