FDMC5614P-B8
Número de Producto del Fabricante:

FDMC5614P-B8

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDMC5614P-B8-DG

Descripción:

FET -60V 100.0 MOHM MLP33
Descripción Detallada:
P-Channel 60 V 5.7A (Ta), 13.5A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)

Inventario:

12974607
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FDMC5614P-B8 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
5.7A (Ta), 13.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
100mOhm @ 5.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1055 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.1W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-WDFN (3.3x3.3)
Paquete / Caja
8-PowerWDFN

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
488-FDMC5614P-B8TR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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