Número de Producto del Fabricante:

FDD6685-G

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDD6685-G-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6

Descripción Detallada:

P-Channel 30 V 11A (Ta), 40A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252AA

Inventario:

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12997410

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FDD6685-G Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

PowerTrench®

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

P-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

30 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

11A (Ta), 40A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

20mOhm @ 11A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

3V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

24 nC @ 5 V

Vgs (máx.)

±25V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

1715 pF @ 15 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

1.6W (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje

Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-252AA

Paquete / Caja

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Información Adicional

Paquete Estándar

3,000

Otros nombres

488-FDD6685-GTR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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