FDB13AN06A0
Número de Producto del Fabricante:

FDB13AN06A0

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

FDB13AN06A0-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 10.9A/62A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 10.9A (Ta), 62A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Inventario:

3920 Pcs Nuevos Originales En Stock
12839248
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

FDB13AN06A0 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.9A (Ta), 62A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
13.5mOhm @ 62A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
115W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FDB13AN06

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
800
Otros nombres
FDB13AN06A0-DG
FDB13AN06A0CT
FDB13AN06A0TR
FDB13AN06A0DKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
onsemi

FQPF630

MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F

onsemi

FQD5N20LTF

MOSFET N-CH 200V 3.8A DPAK

onsemi

FDPF4D5N10C

MOSFET N-CH 100V 128A TO220F

onsemi

HUF75329G3

MOSFET N-CH 55V 49A TO247-3