Número de Producto del Fabricante:
FDB12N50TM
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FDB12N50TM-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Descripción Detallada:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
1 Pcs Nuevos Originales En Stock
12921893
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ENVIAR
FDB12N50TM Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
UniFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
650mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1315 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
165W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
FDB12N50
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
800
Otros nombres
FDB12N50TMTR
FDB12N50TMCT
FDB12N50TMDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXFA12N50P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
298
NÚMERO DE PIEZA
IXFA12N50P-DG
PRECIO UNITARIO
1.82
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXTA12N50P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
24
NÚMERO DE PIEZA
IXTA12N50P-DG
PRECIO UNITARIO
1.71
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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