Número de Producto del Fabricante:
FCU600N65S3R0
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCU600N65S3R0-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 6A IPAK
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 6A (Tc) 54W (Tc) Through Hole IPAK
Inventario:
441 Pcs Nuevos Originales En Stock
12838412
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ENVIAR
FCU600N65S3R0 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tube
Serie
SuperFET® III
Estado del producto
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 600µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
465 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
54W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
IPAK
Paquete / Caja
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Número de producto base
FCU600
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
75
Otros nombres
FCU600N65S3R0OS
2156-FCU600N65S3R0-488
FCU600N65S3R0-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTU8N70X2
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
64
NÚMERO DE PIEZA
IXTU8N70X2-DG
PRECIO UNITARIO
1.71
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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