Número de Producto del Fabricante:
FCMT080N65S3
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
FCMT080N65S3-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 38A (Tc) 260W (Tc) Surface Mount 4-TDFN (8x8)
Inventario:
12939759
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ENVIAR
FCMT080N65S3 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET® III
Estado del producto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
38A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
80mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 880µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2765 pF @ 400 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
260W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
4-TDFN (8x8)
Paquete / Caja
4-PowerTSFN
Número de producto base
FCMT080
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
488-FCMT080N65S3TR
488-FCMT080N65S3CT
488-FCMT080N65S3DKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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