BS170_J35Z

Número de Producto del Fabricante:

BS170_J35Z

Product Overview

Fabricante:

onsemi

Número de pieza:

BS170_J35Z-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3

Descripción Detallada:

N-Channel 60 V 500mA (Ta) 830mW (Ta) Through Hole TO-92-3

Inventario:

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12850300

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BS170_J35Z Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

onsemi

Embalaje

-

Serie

-

Estado del producto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

500mA (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

5Ohm @ 200mA, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

3V @ 1mA

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

40 pF @ 10 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

830mW (Ta)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-92-3

Paquete / Caja

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

Número de producto base

BS170

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

BS170 Datasheet

Información Adicional

Paquete Estándar

2,000

Clasificación Ambiental y de Exportación

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

1 (Unlimited)

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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