Número de Producto del Fabricante:
2SC3598E
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
2SC3598E-DG
Descripción:
NPN SILICON TRANSISTOR
Descripción Detallada:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 120 V 200 mA 500MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Inventario:
6800 Pcs Nuevos Originales En Stock
12968708
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ENVIAR
2SC3598E Especificaciones Técnicas
Categoría
Bipolar (BJT), Transistores bipolares simples
Fabricante
onsemi
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo de transistor
NPN
Corriente - Colector (Ic) (Max)
200 mA
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.)
120 V
Saturación Vce (máx.) @ Ib, Ic
800mV @ 5mA, 50mA
Corriente - Corte del colector (máx.)
100nA (ICBO)
Ganancia de corriente continua (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 10mA, 10V
Potencia - Máx.
1.2 W
Frecuencia - Transición
500MHz
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete / Caja
TO-225AA, TO-126-3
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-126
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
2,219
Otros nombres
2156-2SC3598E
ONSSNY2SC3598E
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
Not applicable
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificación DIGI
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