Número de Producto del Fabricante:
2N7000BU_T
Product Overview
Fabricante:
onsemi
Número de pieza:
2N7000BU_T-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventario:
12836118
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ENVIAR
2N7000BU_T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
onsemi
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
200mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 1mA
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-92-3
Paquete / Caja
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Número de producto base
2N7000
Información Adicional
Paquete Estándar
1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Not Applicable
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
2N7000-G
FABRICANTE
Microchip Technology
CANTIDAD DISPONIBLE
2790
NÚMERO DE PIEZA
2N7000-G-DG
PRECIO UNITARIO
0.34
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Direct
Certificación DIGI
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