Número de Producto del Fabricante:
PSMN018-100ESFQ
Product Overview
Fabricante:
NXP Semiconductors
Número de pieza:
PSMN018-100ESFQ-DG
Descripción:
NEXPERIA PSMN018 - NEXTPOWER 100
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 53A (Ta) 111W (Ta) Through Hole I2PAK
Inventario:
4976 Pcs Nuevos Originales En Stock
12996452
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ENVIAR
PSMN018-100ESFQ Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
NXP Semiconductors
Embalaje
Bulk
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
53A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
7V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
18mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
21.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1482 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
111W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
I2PAK
Paquete / Caja
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
751
Otros nombres
2156-PSMN018-100ESFQ-954
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
Vendor Undefined
Estado de REACH
REACH Unaffected
Certificación DIGI
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