Número de Producto del Fabricante:
BSH111BKR
Product Overview
Fabricante:
Nexperia USA Inc.
Número de pieza:
BSH111BKR-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB
Descripción Detallada:
N-Channel 55 V 210mA (Ta) 302mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
Inventario:
24240 Pcs Nuevos Originales En Stock
12830749
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ENVIAR
BSH111BKR Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Nexperia
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
55 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
210mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4Ohm @ 200mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
0.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
30 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
302mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-236AB
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
BSH111
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
568-12637-2
568-12637-6-DG
568-12637-6
1727-2340-6
2156-BSH111BKRTR
568-12637-2-DG
5202-BSH111BKRTR
1727-2340-2
934068056215
1727-2340-1
568-12637-1-DG
568-12637-1
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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