Número de Producto del Fabricante:
IXTY01N100
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTY01N100-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 100MA TO252AA
Descripción Detallada:
N-Channel 1000 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
24548 Pcs Nuevos Originales En Stock
12820765
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXTY01N100 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
100mA (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
80Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 25µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
54 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
IXTY01
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
70
Otros nombres
IXTY01N100TR
IXTY01N100TR-DG
IXTY01N100CT-DG
490458
IXTY01N100TRINACTIVE
IXTY01N100DKR-DG
Q3218405
IXTY01N100DKR
IXTY01N100DKRINACTIVE
IXTY01N100CT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXTP90N15T
MOSFET N-CH 150V 90A TO220AB
IXTF2N300P3
MOSFET N-CH 3000V 1.6A I4PAC
IXTA4N60P
MOSFET N-CH 600V 4A TO263
