Número de Producto del Fabricante:
IXTQ60N10T
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTQ60N10T-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 60A TO3P
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 60A (Tc) 176W (Tc) Through Hole TO-3P
Inventario:
13270673
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IXTQ60N10T Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Trench
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
18mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 50µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2650 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
176W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3P
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base
IXTQ60
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
238-IXTQ60N10T
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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