Número de Producto del Fabricante:
IXTA4N65X2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTA4N65X2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 4A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventario:
35 Pcs Nuevos Originales En Stock
12907603
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ENVIAR
IXTA4N65X2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
Ultra X2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
850mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
455 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IXTA4
Hoja de Datos y Documentos
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
R6007KNJTL
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
17
NÚMERO DE PIEZA
R6007KNJTL-DG
PRECIO UNITARIO
0.74
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
R6007ENJTL
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
CANTIDAD DISPONIBLE
2
NÚMERO DE PIEZA
R6007ENJTL-DG
PRECIO UNITARIO
0.74
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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