Número de Producto del Fabricante:
IXTA3N110
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXTA3N110-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 1100V 3A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 1100 V 3A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Inventario:
12909943
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ENVIAR
IXTA3N110 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
4Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1350 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
150W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263AA
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IXTA3
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IXTA2R4N120P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXTA2R4N120P-DG
PRECIO UNITARIO
3.25
TIPO DE SUSTITUCIÓN
MFR Recommended
Certificación DIGI
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