IXFX27N80Q
Número de Producto del Fabricante:

IXFX27N80Q

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXFX27N80Q-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 27A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS247™-3

Inventario:

63 Pcs Nuevos Originales En Stock
12913225
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IXFX27N80Q Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Q Class
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
27A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
320mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
170 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
500W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PLUS247™-3
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
IXFX27

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
30

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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