Número de Producto del Fabricante:
IXFX20N80Q
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFX20N80Q-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 20A (Tc) 360W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Inventario:
12908482
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ENVIAR
IXFX20N80Q Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
20A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
420mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
200 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5100 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
360W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PLUS247™-3
Paquete / Caja
TO-247-3 Variant
Número de producto base
IXFX20
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFPC50APBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
4648
NÚMERO DE PIEZA
IRFPC50APBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.74
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Certificación DIGI
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