Número de Producto del Fabricante:
IXFK48N60P
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFK48N60P-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 48A TO264AA
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 48A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)
Inventario:
12818982
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFK48N60P Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Polar
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
48A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
135mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 8mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8860 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
830W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-264AA (IXFK)
Paquete / Caja
TO-264-3, TO-264AA
Número de producto base
IXFK48
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
25
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IPW60R099CPAFKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
196
NÚMERO DE PIEZA
IPW60R099CPAFKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
4.16
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXFK180N10
MOSFET N-CH 100V 180A TO264AA
IXFH100N25P
MOSFET N-CH 250V 100A TO247AD
IXTT1N450HV
MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
