IXFK120N20

Número de Producto del Fabricante:

IXFK120N20

Product Overview

Fabricante:

IXYS

Número de pieza:

IXFK120N20-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 200V 120A TO-264AA

Descripción Detallada:

N-Channel 200 V 120A (Tc) 560W (Tc) Through Hole TO-264AA (IXFK)

Inventario:

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12820953

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IXFK120N20 Especificaciones Técnicas

Categoría

FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante

Littelfuse

Embalaje

-

Serie

HiPerFET™

Estado del producto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnología

MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)

200 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C

120A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)

10V

rds activados (máx.) @ id, vgs

17mOhm @ 60A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id

4V @ 8mA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs

300 nC @ 10 V

Vgs (máx.)

±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds

9100 pF @ 25 V

Función FET

-

Disipación de potencia (máx.)

560W (Tc)

Temperatura de funcionamiento

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje

Through Hole

Paquete de dispositivos del proveedor

TO-264AA (IXFK)

Paquete / Caja

TO-264-3, TO-264AA

Número de producto base

IXFK120

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar

25

Otros nombres

IXFK120N20-NDR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS

ROHS3 Compliant

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)

Not Applicable

Estado de REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificación DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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