Número de Producto del Fabricante:
IXFH8N80
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFH8N80-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 8A TO247AD
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 8A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventario:
12913928
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ENVIAR
IXFH8N80 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 2.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2600 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXFH8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
STW10NK80Z
FABRICANTE
STMicroelectronics
CANTIDAD DISPONIBLE
39
NÚMERO DE PIEZA
STW10NK80Z-DG
PRECIO UNITARIO
2.27
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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