Número de Producto del Fabricante:
IXFH11N80
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFH11N80-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 11A TO247AD
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Inventario:
12822213
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ENVIAR
IXFH11N80 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
950mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4200 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-247AD (IXFH)
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXFH11
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Otros nombres
IXFH11N80-NDR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
SPW17N80C3FKSA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
452
NÚMERO DE PIEZA
SPW17N80C3FKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
2.35
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Similar
NÚMERO DE PARTE
IXFH14N80P
FABRICANTE
IXYS
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IXFH14N80P-DG
PRECIO UNITARIO
3.72
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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CANTIDAD DISPONIBLE
90
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PRECIO UNITARIO
3.36
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CANTIDAD DISPONIBLE
39
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PRECIO UNITARIO
2.27
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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Infineon Technologies
CANTIDAD DISPONIBLE
2520
NÚMERO DE PIEZA
SPW11N80C3FKSA1-DG
PRECIO UNITARIO
1.49
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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