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Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IXFA3N80
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFA3N80-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 3.6A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 800 V 3.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263AA (IXFA)
Inventario:
Solicitud de Cotización en Línea
12907050
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ENVIAR
IXFA3N80 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
800 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.6A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3.6Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
685 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263AA (IXFA)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IXFA3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IXFA3N80
Hoja de datos HTML
IXFA3N80-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DE PARTE
IRFBE30SPBF
FABRICANTE
Vishay Siliconix
CANTIDAD DISPONIBLE
0
NÚMERO DE PIEZA
IRFBE30SPBF-DG
PRECIO UNITARIO
1.34
TIPO DE SUSTITUCIÓN
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