Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Spain
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Spain
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
República Democrática del Congo
Argentina
Turquía
Rumania
Lituania
Noruega
Austria
Angola
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Bielorrusia
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Montenegro
Ruso
Bélgica
Suecia
Serbia
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Moldavia
Alemania
Países Bajos
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
Francia
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Portugal
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
España
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IXFA22N65X2
Product Overview
Fabricante:
IXYS
Número de pieza:
IXFA22N65X2-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 22A TO263
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 22A (Tc) 390W (Tc) Surface Mount TO-263HV
Inventario:
250 Pcs Nuevos Originales En Stock
12819760
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IXFA22N65X2 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Littelfuse
Embalaje
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
160mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 1.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2310 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
390W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263HV
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IXFA22
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IXFA22N65X2
Hoja de datos HTML
IXFA22N65X2-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
IXFA22N65X2X
IXFA22N65X2XINACTIVE
IXFA22N65X2X-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IXTA28P065T
MOSFET P-CH 65V 28A TO263
IXFT140N20X3HV
MOSFET N-CH 200V 140A TO268HV
IXTQ130N10T
MOSFET N-CH 100V 130A TO3P
IXTA2R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO263