ISC012N04LM6ATMA1
Número de Producto del Fabricante:

ISC012N04LM6ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

ISC012N04LM6ATMA1-DG

Descripción:

TRENCH <= 40V PG-TDSON-8
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 37A (Ta), 238A (Tc) 3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL

Inventario:

11650 Pcs Nuevos Originales En Stock
12965327
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ISC012N04LM6ATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
OptiMOS™ 6
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
37A (Ta), 238A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4600 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TDSON-8 FL
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
ISC012N

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
SP005559102
448-ISC012N04LM6ATMA1DKR
448-ISC012N04LM6ATMA1TR
448-ISC012N04LM6ATMA1CT

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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