Número de Producto del Fabricante:
IRFB3307ZPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRFB3307ZPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 75 V 120A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
1731 Pcs Nuevos Originales En Stock
12805763
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRFB3307ZPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
75 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
120A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.8mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 150µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4750 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
230W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IRFB3307
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
2156-IRFB3307ZPBFINF
INFINFIRFB3307ZPBF
SP001564038
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
SPP02N60C3XKSA1
LOW POWER_LEGACY
IRLS3034-7PPBF
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
IRFR3707TRPBF
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
