Inicio
Productos
Fabricantes
Acerca de DiGi
Contáctanos
Blogs y Publicaciones
Solicitud de Cotización/Cotización
Spain
Iniciar sesión
Idioma Selectivo
Idioma actual de tu elección
Spain
Cambiar:
Inglés
Europa
Reino Unido
República Democrática del Congo
Argentina
Turquía
Rumania
Lituania
Noruega
Austria
Angola
Eslovaquia
ltaly
Finlandia
Bielorrusia
Bulgaria
Dinamarca
Estonia
Polonia
Ucrania
Eslovenia
Checo
Griego
Croacia
Israel
Montenegro
Ruso
Bélgica
Suecia
Serbia
Vasco
Islandia
Bosnia
Húngaro
Moldavia
Alemania
Países Bajos
Irlanda
Asia / Pacífico
China
Vietnam
Indonesia
Tailandia
Laos
Filipino
Malasia
Corea
Japón
Hong-kong
Taiwán
Singapur
Pakistán
Arabia Saudí
Qatar
Kuwait
Camboya
Myanmar
África, India y Oriente Medio
Emiratos Árabes Unidos
Tayikistán
Madagascar
India
Irán
Francia
Sudáfrica
Egipto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marruecos
Túnez
América del Sur / Oceanía
Nueva Zelanda
Portugal
Brasil
Mozambique
Perú
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
España
Paraguay
Australia
América del Norte
Estados Unidos
Haití
Canadá
Costa Rica
México
Acerca de DiGi
Sobre Nosotros
Sobre Nosotros
Nuestras Certificaciones
DiGi Introducción
Por qué DiGi
Política
Política de Calidad
Términos de uso
Cumplimiento con RoHS
Proceso de Devolución
Recursos
Categorías de Productos
Fabricantes
Blogs y Publicaciones
Servicios
Garantía de calidad
Método de Pago
Envío Global
Tarifas de Envío
Preguntas frecuentes
Número de Producto del Fabricante:
IRF9389TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF9389TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8SO
Descripción Detallada:
Mosfet Array 30V 6.8A, 4.6A 2W Surface Mount 8-SO
Inventario:
16231 Pcs Nuevos Originales En Stock
12805011
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
*
Empresa
*
Nombre de contacto
*
Teléfono
*
Correo electrónico
Dirección de entrega
Mensaje
(
*
) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
IRF9389TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
N and P-Channel
Función FET
Logic Level Gate
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.8A, 4.6A
rds activados (máx.) @ id, vgs
27mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 10µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
398pF @ 15V
Potencia - Máx.
2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Número de producto base
IRF9389
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
IRF9389TRPBF
Hoja de datos HTML
IRF9389TRPBF-DG
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
SP001551666
IRF9389TRPBFTR
IRF9389TRPBFCT
IRF9389TRPBFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
IRF7342PBF
MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SO
IRF7314QTRPBF
MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SOIC
IRF7329PBF
MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
IRF7756
MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP