IRF5802TRPBF
Número de Producto del Fabricante:

IRF5802TRPBF

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

Número de pieza:

IRF5802TRPBF-DG

Descripción:

MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)

Inventario:

8278 Pcs Nuevos Originales En Stock
12804043
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

IRF5802TRPBF Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
900mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 540mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
88 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Micro6™(TSOP-6)
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
IRF5802

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
IRF5802TRPBFTR
IRF5802TRPBF-DG
IRF5802TRPBFCT
SP001561828
IRF5802TRPBFDKR

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
infineon-technologies

IRF2907ZS-7PPBF

MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK

infineon-technologies

IPA90R1K2C3XKSA1

MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-FP

infineon-technologies

IRF6775MTRPBF

MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET

infineon-technologies

IRF8113

MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO