Número de Producto del Fabricante:
IRF5802TRPBF
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IRF5802TRPBF-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Descripción Detallada:
N-Channel 150 V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6)
Inventario:
8278 Pcs Nuevos Originales En Stock
12804043
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ENVIAR
IRF5802TRPBF Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
HEXFET®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
150 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
900mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.2Ohm @ 540mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
6.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
88 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Micro6™(TSOP-6)
Paquete / Caja
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Número de producto base
IRF5802
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
IRF5802TRPBFTR
IRF5802TRPBF-DG
IRF5802TRPBFCT
SP001561828
IRF5802TRPBFDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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