Número de Producto del Fabricante:
IPA60R099P6XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
Número de pieza:
IPA60R099P6XKSA1-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventario:
487 Pcs Nuevos Originales En Stock
12800575
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ENVIAR
IPA60R099P6XKSA1 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalaje
Tube
Serie
CoolMOS™ P6
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
37.9A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
99mOhm @ 14.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4.5V @ 1.21mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3330 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
34W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
PG-TO220-FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
IPA60R099
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
2156-IPA60R099P6XKSA1
SP001114654
448-IPA60R099P6XKSA1
IPA60R099P6XKSA1-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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