Número de Producto del Fabricante:
FCA22N60N
Product Overview
Fabricante:
Fairchild Semiconductor
Número de pieza:
FCA22N60N-DG
Descripción:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Descripción Detallada:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventario:
545 Pcs Nuevos Originales En Stock
12978481
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ENVIAR
FCA22N60N Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Embalaje
Bulk
Serie
SupreMOS™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
22A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
165mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1950 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
205W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-3PN
Paquete / Caja
TO-3P-3, SC-65-3
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
65
Otros nombres
2156-FCA22N60N
ONSFSCFCA22N60N
Clasificación Ambiental y de Exportación
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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