Número de Producto del Fabricante:
EPC2215
Product Overview
Fabricante:
EPC
Número de pieza:
EPC2215-DG
Descripción:
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Descripción Detallada:
N-Channel 200 V 32A (Ta) Surface Mount Die
Inventario:
12805 Pcs Nuevos Originales En Stock
12795228
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ENVIAR
EPC2215 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
EPC
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
200 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
32A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 6mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
17.7 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1790 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Paquete / Caja
Die
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
Q14478962
917-1218-2
917-1218-1
917-1218-6
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certificación DIGI
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