Número de Producto del Fabricante:
EPC2105ENGRT
Product Overview
Fabricante:
EPC
Número de pieza:
EPC2105ENGRT-DG
Descripción:
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
Descripción Detallada:
Mosfet Array 80V 9.5A Surface Mount Die
Inventario:
12795182
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ENVIAR
EPC2105ENGRT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
EPC
Embalaje
-
Serie
eGaN®
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Configuración
2 N-Channel (Half Bridge)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
80V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.5A
rds activados (máx.) @ id, vgs
14.5mOhm @ 20A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 2.5mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.5nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
300pF @ 40V
Potencia - Máx.
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
Die
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Número de producto base
EPC210
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
917-EPC2105ENGRDKR
917-EPC2105ENGRTR
917-EPC2105ENGRCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certificación DIGI
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