Número de Producto del Fabricante:
EPC2030ENGRT
Product Overview
Fabricante:
EPC
Número de pieza:
EPC2030ENGRT-DG
Descripción:
GANFET NCH 40V 31A DIE
Descripción Detallada:
N-Channel 40 V 31A (Ta) Surface Mount Die
Inventario:
12817996
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
EPC2030ENGRT Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
EPC
Embalaje
-
Serie
eGaN®
Estado del producto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
31A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
2.4mOhm @ 30A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id
2.5V @ 16mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
18 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
+6V, -4V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1900 pF @ 20 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
-
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
Die
Paquete / Caja
Die
Número de producto base
EPC20
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
500
Otros nombres
917-EPC2030ENGRDKR
917-EPC2030ENGRCT
917-EPC2030ENGRTR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
Certificación DIGI
Productos relacionados
R5011FNX
MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM
BSO613SPVGXUMA1
MOSFET P-CH 8-SOIC
IRFR5410TRR
MOSFET P-CH 100V 13A DPAK
