Número de Producto del Fabricante:
ZXMN2F34MATA
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
ZXMN2F34MATA-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 4A DFN322
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 4A (Ta) 1.35W (Ta) Surface Mount DFN322
Inventario:
12887725
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ZXMN2F34MATA Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
60mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1.5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.8 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
277 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.35W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
DFN322
Paquete / Caja
3-PowerVDFN
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
ZXMN2F34MACT
ZXMN2F34MADKR
ZXMN2F34MATR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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