Número de Producto del Fabricante:
ZXMN10A11GTA
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
ZXMN10A11GTA-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
Descripción Detallada:
N-Channel 100 V 1.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
Inventario:
1708 Pcs Nuevos Originales En Stock
12887481
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ZXMN10A11GTA Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
350mOhm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
5.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
274 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223-3
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
ZXMN10
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
ZXMN10A11GCT-NDR
ZXMN10A11GDKR
ZXMN10A11GDKRINACTIVE
ZXMN10A11GDKR-DG
ZXMN10A11GTR
ZXMN10A11GTR-NDR
Q3847650I
ZXMN10A11GCT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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