Número de Producto del Fabricante:
DMT68M8LPS-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMT68M8LPS-13-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Descripción Detallada:
N-Channel 60 V 14.1A (Ta), 69.2A (Tc) 2.4W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
Inventario:
4890 Pcs Nuevos Originales En Stock
12901048
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR
DMT68M8LPS-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14.1A (Ta), 69.2A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
7.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2078 pF @ 30 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.4W (Ta), 56.8W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI5060-8
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Número de producto base
DMT68
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMT68M8LPS-13DKR
31-DMT68M8LPS-13TR
31-DMT68M8LPS-13CT
DMT68M8LPS-13-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
TSM2302CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
DMP3098L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
BUK7623-75A,118
MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK
