Número de Producto del Fabricante:
DMP21D0UFB4-7B
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMP21D0UFB4-7B-DG
Descripción:
MOSFET P-CH 20V 770MA 3DFN
Descripción Detallada:
P-Channel 20 V 770mA (Ta) 430mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Inventario:
21673 Pcs Nuevos Originales En Stock
12949456
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ENVIAR
DMP21D0UFB4-7B Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
770mA (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
495mOhm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
1.54 nC @ 8 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
80 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
430mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
X2-DFN1006-3
Paquete / Caja
3-XFDFN
Número de producto base
DMP21
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
10,000
Otros nombres
DMP21D0UFB4-7BDITR
DMP21D0UFB47B
DMP21D0UFB4-7BDIDKR
DMP21D0UFB4-7BDICT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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