DMP1012USS-13
Número de Producto del Fabricante:

DMP1012USS-13

Product Overview

Fabricante:

Diodes Incorporated

Número de pieza:

DMP1012USS-13-DG

Descripción:

MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.
Descripción Detallada:
P-Channel 12 V 8.5A (Ta) 1.3W (Ta)

Inventario:

12883373
Solicitar Cotización
Cantidad
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) es obligatorio
Te responderemos en un plazo de 24 horas
ENVIAR

DMP1012USS-13 Especificaciones Técnicas

Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
12 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
8.5A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.8V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
15mOhm @ 9A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19.5 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1344 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
-
Paquete de dispositivos del proveedor
-
Paquete / Caja
-
Número de producto base
DMP1012

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos
Hoja de datos HTML

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
Productos relacionados
diodes

DMNH10H028SCT

MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB

diodes

DMTH4007LK3Q-13

MOSFET N-CH 40V 16.8A/70A TO252

diodes

DMP2130LDM-7

MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26

diodes

DMN2028UFDF-7

MOSFET N-CH 20V 7.9A 6UDFN