Número de Producto del Fabricante:
DMN3200U-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN3200U-7-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 2.2A SOT23-3
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 2.2A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventario:
99540 Pcs Nuevos Originales En Stock
12888722
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ENVIAR
DMN3200U-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
1.5V, 4.5V
rds activados (máx.) @ id, vgs
90mOhm @ 2.2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Vgs (máx.)
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
290 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
650mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
DMN3200
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
-DMN3200U-7DIDKR
DMN3200U-7DIDKR
-DMN3200U-7DICT
DMN3200U-7DITR
DMN3200U-7-DG
-DMN3200U-7DITR
DMN3200U-7DICT
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificación DIGI
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