Número de Producto del Fabricante:
DMN2022UNS-7
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN2022UNS-7-DG
Descripción:
MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333
Descripción Detallada:
Mosfet Array 20V 10.7A (Ta) 1.2W Surface Mount PowerDI3333-8 (Type UXB)
Inventario:
4000 Pcs Nuevos Originales En Stock
12884860
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ENVIAR
DMN2022UNS-7 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10.7A (Ta)
rds activados (máx.) @ id, vgs
10.8mOhm @ 4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id
1V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20.3nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1870pF @ 10V
Potencia - Máx.
1.2W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
8-PowerVDFN
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerDI3333-8 (Type UXB)
Número de producto base
DMN2022
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,000
Otros nombres
DMN2022UNS-7-DG
DMN2022UNS-7DITR
DMN2022UNS-7DICT
DMN2022UNS-7DIDKR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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