Número de Producto del Fabricante:
DMN2009USS-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMN2009USS-13-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 20V 8SOIC
Descripción Detallada:
N-Channel 20 V 12.1A (Ta) 1.4W Surface Mount 8-SO
Inventario:
1557 Pcs Nuevos Originales En Stock
12891619
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ENVIAR
DMN2009USS-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
12.1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
2.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
8mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1706 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.4W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SO
Paquete / Caja
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Número de producto base
DMN2009
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
31-DMN2009USS-13DKR
31-DMN2009USS-13TR
DMN2009USS-13DI
31-DMN2009USS-13CT
DMN2009USS-13DI-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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