Número de Producto del Fabricante:
DMJ65H650SCTI
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMJ65H650SCTI-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 10A ITO220AB
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 31W (Tc) Through Hole ITO-220AB (Type TH)
Inventario:
12949652
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ENVIAR
DMJ65H650SCTI Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
639 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
31W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO-220AB (Type TH)
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
DMJ65
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
DMJ65H650SCTIDI
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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