Número de Producto del Fabricante:
DMJ65H430SCTI
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMJ65H430SCTI-DG
Descripción:
MOSFET BVDSS: 501V~650V ITO-220A
Descripción Detallada:
N-Channel 650 V 14A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole ITO220AB-N (Type HE)
Inventario:
12986538
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ENVIAR
DMJ65H430SCTI Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
650 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
14A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
430mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
775 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
2.5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ITO220AB-N (Type HE)
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
DMJ65
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
31-DMJ65H430SCTI
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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