Número de Producto del Fabricante:
DMG4800LK3-13
Product Overview
Fabricante:
Diodes Incorporated
Número de pieza:
DMG4800LK3-13-DG
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 10A TO252-3
Descripción Detallada:
N-Channel 30 V 10A (Ta) 1.71W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Inventario:
6452 Pcs Nuevos Originales En Stock
12882857
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ENVIAR
DMG4800LK3-13 Especificaciones Técnicas
Categoría
FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Fabricante
Diodes Incorporated
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
17mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
1.6V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
8.7 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
798 pF @ 10 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
1.71W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252-3
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
DMG4800
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Hoja de datos HTML
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
DMG4800LK313
DMG4800LK3-13DIDKR
DMG4800LK3-13DICT
DMG4800LK3-13DITR
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificación DIGI
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